中信证券研究部在2026年9月18日发布的报告判断，在AI芯片功耗攀升、传统金属散热逼近物理极限、金刚石制备工艺持续优化三重因素驱动下，金刚石材料在AI服务器散热中的应用有望于2026年进入量产元年。这一判断来自来源方研究观点，属于其测算与预判，而非已实现的产业结果；其依据、边界与风险如下。
三重驱动与核心判断
报告认为，驱动因素有三：AI芯片功耗陡峭攀升、传统金属散热逼近物理极限、金刚石制备技术工艺持续优化。来源材料给出的佐证是，以英伟达AI芯片为例，功耗从Hopper系列700W、Blackwell系列1200W升至Rubin系列约1800W，业界预计Feynman代将达4400W量级，四年提升逾6倍；芯片局部热流密度已突破500W/cm²并向1000W/cm²演进。材料端，金刚石热导率为2000–2200 W/(m·K)，约为铜（约400 W/(m·K)）的5倍，且热膨胀系数与硅及碳化硅等主流衬底高度匹配。
在此基础上，报告判断2026年金刚石散热完成从送样验证到批量订单的跨越，多家公司标志性项目相继落地，并称其为AI散热材料行业中体量最大、节奏最快的增量方向。这一表述为来源方判断，尚待产业数据验证。
格局、成本与工艺约束
报告描述当前竞争格局为「Element Six主导、中日美竞合」：海外在单晶与TBR（界面热阻）方向领先，中国厂商凭借多晶产能、复合工艺与低电力成本优势快速缩小差距。来源材料称中国人造金刚石产量全球市占率约90%，国内已形成全球规模最大的散热级金刚石产能储备。
约束同样明确。成本端，CVD散热级金刚石片单价仍处「克级」区间，较铜铝热沉高出近一个量级，生长环节设备折旧与电力降本是重要路径；工艺端，MPCVD设备大腔体与磁控管仍待突破，键合工艺与界面热阻控制是国内外差距最明显的环节。按产值维度，工业级金刚石占比60%，散热级占22.6%。
市场空间测算与风险
报告测算，预计到2030年金刚石散热全球市场空间有望达1150亿元，2027–2030年CAGR约143%。该数字属来源方测算，非已实现数据，其成立依赖客户导入节奏与成本下降路径。
报告列示的风险包括：客户验证与BOM导入不及预期、产能规划集中释放、能源与设备成本高企、国际贸易与出口管制、替代材料与技术路线竞争。这些因素构成上述判断的失效条件。
常见问题
金刚石散热「量产元年」是已发生事实吗？
不是。这是中信证券研究部报告对2026年的判断，来源材料称2026年完成从送样验证到批量订单的跨越，但未提供已实现的订单或出货数据。
报告认为国内外差距最大的环节是什么？
报告指出，键合工艺与界面热阻（TBR）控制是国内外差距最明显的环节，MPCVD设备大腔体与磁控管仍待突破；海外在单晶与TBR方向领先。
1150亿元市场空间如何理解？
这是来源方对2030年全球市场空间的测算，对应2027–2030年CAGR约143%，属预测性数据，来源材料未提供该测算的详细假设与验证情况。