SK海力士正在开发混合键合封装技术，目标为实现超越16层堆叠的20层或更多层堆叠。这一信息来自SK海力士美国公司副总裁Lee Jae-sik在2026年8月23日于Hot Chips 2026会议上的公开演讲，由财联社于2026年8月24日整理报道。该目标属于公司高管在行业会议上的技术路线陈述，尚待产品落地验证。
技术现状与目标差距
SK海力士目前的HBM产品采用三维堆叠式设计，通过硅通孔将多个核心芯片连接到一个基底芯片上，最高可达16层堆叠，封装工艺为MR+MUF（回流焊+注塑底部填充）。Lee Jae-sik在演讲中表示，未来行业不仅需要关注HBM本身，还需要关注封装技术如何影响HBM，并提出了20层或更多层堆叠的目标。
从16层到20层的跨越，依赖的核心技术变化是从MR+MUF转向混合键合。MR+MUF工艺生产效率更高、热阻更低，但更容易发生芯片翘曲，且存在间隙填充方面的不足；SK海力士称已结合翘曲控制和精细间距集成及窄间隙填充新技术，提高了现有HBM的性能。
混合键合的技术优势与边界
据Lee Jae-sik介绍，混合键合封装技术可在相同高度下将核心芯片厚度增加高达24%，并通过消除现有微凸点、直接连接芯片，将凸点间距缩小至18微米以下。该技术有望通过更高效的散热来减少发热问题。
需要说明的是，上述数据来自演讲者的技术陈述，属于公司对自身在研技术的性能预期，并非已量产的实测结果。混合键合能否在量产中稳定实现20层堆叠，以及良率、成本等关键指标，来源材料未提供验证数据。
行业协同与挑战
Lee Jae-sik在演讲中强调，与现有存储器不同，HBM在人工智能半导体中首先被组装到中介层上，这要求HBM必须承受后续工艺中产生的热量和机械应力，因此内存厂商、GPU设计商、代工厂和封装厂商必须从一开始就进行协同设计。他还指出，HBM的带宽和容量未来将继续增长，但发热、功耗和封装将成为更大的挑战。
此外，SK海力士在会上发布了iHBM技术，用于冷却HBM内部特定区域的「热点」。据Lee Jae-sik介绍，HBM的输入/输出速度越快，热量就越集中在某些区域；iHBM技术通过添加耐高温导热材料，只对热量集中的区域进行集中冷却。
常见问题
混合键合技术目前是否已量产？
来源材料未提供量产时间表。Lee Jae-sik在Hot Chips 2026上的表述属于技术目标陈述，混合键合技术仍在开发阶段，20层堆叠目标尚未有产品落地信息。
混合键合相比现有MR+MUF工艺的主要改进是什么？
据演讲者介绍，混合键合可在相同高度下将核心芯片厚度增加24%，并将凸点间距缩小至18微米以下，同时通过消除微凸点直接连接芯片，有望改善散热。这些数据来自公司技术陈述，尚未有独立验证结果。
20层堆叠目标面临哪些不确定性？
原文指出HBM的发热、功耗和封装将成为未来更大的挑战。此外，混合键合在量产中的良率、成本以及与客户协同开发的进展，来源材料均未提供具体信息。